Maiga, A.S., O. Bonnaud, L. Rolland, et M. Taurin. « Determination of the Origin of Failure Mechanism Involved in the Degradation of the Threshold Voltage of a PMOS FET Associated to a Lateral PNP Bipolar Transistor in a I2L Test Cells ». Journal des Sciences Pour l’Ingénieur 8 (octobre 29, 2008). Consulté le novembre 23, 2024. http://webtest.ucad.sn/JSPI/index.php/jspi/article/view/8.