Schéma équivalent petit signal d’un transistor à effet de champ à base de nano tube de carbone

Authors

  • F. Kapche Tagne Institut Universitaire de Technologie FOTSO VICTOR, B.P. 134 Bandjoun, Cameroun
  • A. Le Louan Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies, UMR-CNRS, 8520 B.P. 60069, Avenue POINCARRE, 59650 Villeneuve d'Ascq Cedex - France
  • H. Happy Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies, UMR-CNRS, 8520 B.P. 60069, Avenue POINCARRE, 59650 Villeneuve d'Ascq Cedex - France
  • G. Dambrine Institut d'Electronique, de Microélectronique et de Nanotechnologies, UMR-CNRS, 8520 B.P. 60069, Avenue POINCARRE, 59650 Villeneuve d'Ascq Cedex - France

Keywords:

Schéma équivalent petit signal, CNTFETs, paramètres S.

Abstract

Dans cet article, les auteurs présentent un schéma équivalent petit signal d’un transistor à effet de champ à base de nano tube de carbone (CNTFETs). Les éléments du schéma équivalent sont obtenus à partir de la mesure des paramètres « scattering » S du CNTFETs pour un point de polarisation dans une gamme de fréquence au-delà du gigahertz (GHz). Le schéma équivalent présente un grand intérêt pour le développement d’une filière de composants. Il peut être utilisé soit pour optimiser les procédés technologiques, soit pour réaliser la conception de circuits.

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Published

2008-10-29

How to Cite

Tagne, F. K. ., Le Louan, . A., Happy, H., & Dambrine, G. . (2008). Schéma équivalent petit signal d’un transistor à effet de champ à base de nano tube de carbone. Journal Des Sciences Pour l’Ingénieur, 9. Retrieved from http://webtest.ucad.sn/JSPI/index.php/jspi/article/view/15

Issue

Vol. 9 (2008)

Section

Articles