The Wide Band-Gap Semiconductors: A Brief Survey

Authors

  • Laurent OTTAVIANI IM2NP, UMR-CNRS 6242, Université Paul Cézanne, 13397 MARSEILLE Cedex 20, France

Abstract

Les semi-conducteurs à grande bande d’énergie interdite sont des matériaux très prometteurs dans les domaines de l’électronique de puissance, de la détection de radiations haute énergie et de l’optoélectronique. Leurs propriétés physiques permettent d’obtenir de meilleures performances que le silicium pour certaines applications bien précises (haute température, haute tension, émission ou détection de lumière à courtes longueurs d’onde…). Parmi ces propriétés, une concentration de porteurs intrinsèques plus faible que dans le silicium, une conductivité thermique plus élevée, une vitesse de saturation électronique plus importante et une très bonne résistance aux irradiations sont des paramètres qui montrent bien l’intérêt d’utiliser ces semi-conducteurs. Un bref examen des propriétés de ces matériaux spécifiques est proposé ici, ainsi qu’une présentation des principales applications dans les domaines de la recherche et de l’industrie.

Published

2022-04-06

How to Cite

OTTAVIANI, L. . (2022). The Wide Band-Gap Semiconductors: A Brief Survey. Journal Des Sciences Pour l’Ingénieur, 12. Retrieved from http://webtest.ucad.sn/JSPI/index.php/jspi/article/view/23

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